可控硅在低溫恒溫槽中的應用
可控硅是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，它具有體積小、結構相對簡單、功能強等優(yōu)點，是比較常用的半導體器件之一。
二、可控硅的結構和性能
（一）可控硅的結構
1、可控硅的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件.
2、它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極：第一層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。
3、以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因為它的特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T，又因為晶閘管最初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。
（二）、可控硅的性能方面的優(yōu)勢
1.在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性.它只有導通和關斷兩種狀態(tài).
2.可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用.
三、可控硅的參數(shù)介紹
可控硅的主要參數(shù)有：
（1）平均值
1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
2、正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅 承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。
3、反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態(tài)時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。
4、制極觸發(fā)電流Ig1 、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導通狀態(tài)所需要的最小控制極電流和電壓。
5、維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導通，用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等。
四、可控硅在低溫恒溫槽中的應用
可控硅在低溫恒溫槽中的應用主要體現(xiàn)在加熱的控制上，主要是通過對電壓、電流和功率的精確控制，從而實現(xiàn)精密控溫。
